最新消息:
简体中文 | English
首 页 公司概况 产品展示 行业应用 公司新闻 服务中心 联系我们
  >>产品与服务
  >>行业应用
  产品和服务
  HTGB高温栅偏测试系统

 

      HTGB高温栅偏测试系统是唯一一款动态HTGB测试系统。其优点是软件控制的测试过程、大量的测试设备和调整试验参数的灵活性。该系统用高压变化来刺激被测器件的栅极在许多应用中,特别是在新技术方面。用高压变化对器件参数的影响在静态HTGB测试中是看不到的。对于像碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)这样的新型宽禁带器件来说,这种动态HTGB技术尤其重要。

这套测试系统提供了栅阈值电压的现场(就地)测量。通过中断刺激,切换到测量电路,然后继续刺激全自动。每个DUT停止刺激和测量之间的时间是恒定的,以避免不同结果的影响。没有这些预防措施,可重复性和可比性设备会有限制。

全自动测量取代了通常需要的手动测量读数节省时间和成本,同时提高观察视野。测量的阈值电压分为Vth(向上)和Vth(向下),每一个都有一个可配置预处理阶段。

 

测试通道:

工作台:10,20,40个

机架(42 U): 40、80、120、160、200、240 DUT:

 

全自动原位Vth测量:

测量时间间隔

可定制的门刺激曲线(预处理)

将测量数据记录到TDMS文件中

 

测试参数:

总测试时间(0-1500h)

外加漏极电压(0V-2000V)

冷热板温度:20℃-200℃

门刺激V+ (0V-30V)、V- (-15V-0V)

门频率(100Hz - 200kHz)

Vth测量间隔(10秒)

V测量电压曲线

 

工作原理:

所设置的测试系统对高du/dt的栅极进行刺激,以测试这些效应的影响。

频率比应用中更快,以加速测试。

采用多次原位测量,显示了趋势和漂移。

 

图示描述已自动生成

 

应用背景

 

•宽频带器件(SiC/GaN)在暴露于高du/dt时显示出新的效果。

•这些效果会影响DUT的关键特性,从而影响应用

•常规测试(H(3)TRB/HTGB)不存在这些影响

•全球标准化组织都在致力于发布动态测试标准

•作为德国汽车半导体工作组(ECPE AQG 324)的一部分参与该过程。

 

动态高温栅偏置功率半导体可靠性测试系统采用模块化设计,使其可扩展性从 40 个DUT到240个DUT的单个机架。这样就可以在较小的占用空间上进行有效的测试。

DUT被安排在抽屉里每 40 个DUT,在应用或工程环境中使用时,可根据要求提供桌面变体。 这个桌面是一种适合工程实验室使用的小架子。它包含一个抽屉和额外的改变,允许更多的仪器或刺激来获得更多的观察视野,非常适合SiC功率器件可靠性测试。


版权所有 Copyright (C) 2018-2020 上海埃飞电子科技有限公司 All Rights Reserved 沪ICP备08024254号 产品展示| 行业应用 | 服务中心 | 联系我们